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分立半导体
BSB008NE2LX参考图片

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BSB008NE2LX

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
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数量单价合计
1
¥17.515
17.515
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.3734
5186.7
5,000
¥7.684
38420
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDSON-2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
600 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
343 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
32.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
47.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
零件号别名
BSB008NE2LXXUMA1 BSB8NE2LXXT SP000880866
商品其它信息
优势价格,BSB008NE2LX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
1:¥452.1243
2:¥443.8301
5:¥438.7564
10:¥425.4676
参考库存:35211
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
129:¥61.0087
250:¥56.0932
500:¥51.0986
1,000:¥44.5672
参考库存:35216
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥158.2113
250:¥145.2276
500:¥138.1538
参考库存:35221
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥100.5022
250:¥91.7447
500:¥85.9026
1,000:¥76.614
参考库存:35226
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
100:¥69.4611
250:¥63.4721
500:¥59.3928
1,000:¥53.0196
参考库存:35231
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