TRS6E65C,S1AQ(S详细参数_参考价格_TRS6E65C,S1AQ(S PDF资料_Toshiba

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-2L
If - 正向电流	6 A
Vrrm - 重复反向电压	650 V
Vf - 正向电压	1.5 V
Ifsm - 正向浪涌电流	80 A
配置	Single
技术	SiC
Ir - 反向电流	90 uA
最大工作温度	+ 175 C
系列	TRS6E65C
商标	Toshiba
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	50
子类别	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压	650 V

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CBR1-D010	Central Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 . .	1:¥6.6105 10:¥5.4579 100:¥4.5539 500:¥3.5143 1,000:¥3.1753	参考库存:12098
IRF9383MTRPBF	Infineon / IR	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A	1:¥17.3681 10:¥14.7578 100:¥11.8311 500:¥10.2943 4,800:¥7.684 9,600:查看	参考库存:27410
150KR20A	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 200PV	1:¥296.06 5:¥287.8449 10:¥275.9347 20:¥256.0354	参考库存:3507
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S300D	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 200V 300A Std. Recovery	1:¥433.6827 5:¥421.0041 10:¥408.1786 20:¥382.505	参考库存:3526