T2G6000528-Q3详细参数_参考价格_T2G6000528-Q3 PDF资料_Qorvo

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	650 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	-
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	12.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
应用	Military Radar, Professional and Military Radio Communications
配置	Single
工作频率	DC to 6 GHz
系列	T2G
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors
零件号别名	1099997

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BZX55C6V8-TR	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 6.8 Volt 0.5 Watt 5%	1:¥1.5368 10:¥1.2882 100:¥0.54579 500:¥0.45313	参考库存:130443
BAS16W,115	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 SW 100V 175MA HS	1:¥1.2317 10:¥1.1639 100:¥0.41471 1,000:¥0.27685 3,000:¥0.2147	参考库存:264040
TLZ5V1B-GS08	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 5.1 Volt 0.5 Watt IR = 2uA	1:¥1.7628 10:¥1.5368 100:¥0.65314 500:¥0.54579 2,500:¥0.30736 5,000:查看	参考库存:78102
BAS521,135	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 HI VOLTAGE SWITCHING DIODE 300V 625mA	1:¥2.2261 10:¥1.5594 100:¥0.65314 1,000:¥0.44522 10,000:¥0.29945 20,000:查看	参考库存:34794
MMSZ5232B-7-F	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 5.6V 500mW	1:¥1.6159 10:¥1.10627 100:¥0.46104 1,000:¥0.31527 3,000:¥0.24634	参考库存:85821