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分立半导体
CSD18533Q5A参考图片

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CSD18533Q5A

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MSFT, CSD18533Q5
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数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.6444
664.44
500
¥5.876
2938
2,500
¥4.1132
10283
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18533Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
122 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
商品其它信息
优势价格，CSD18533Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ5266B-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.225W 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
3,000:¥0.31527
6,000:查看
参考库存:34190
TLZ9V1C-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 9.1 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:34195
TLZ24C-GS18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 24 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:34200
BZX384C39-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.2W 5% AUTO
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
10,000:¥0.25312
20,000:查看
参考库存:34205
BZX84B5V1-G3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1Volt 0.35Watt 2%
1:¥2.3052
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:34210
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