APT50GF120LRG详细参数_参考价格_APT50GF120LRG PDF资料_Microsemi

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	135 A
栅极—射极漏泄电流	100 nA
Pd-功率耗散	781 W
封装 / 箱体	TO-264-3
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	Through Hole
栅极/发射极最大电压	30 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs
单位重量	10 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
D2SB80 D2	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 1.5A, 800V, GLASS PASSIVATED IN LINE BRIDGE IFSM 80A	1:¥4.9155 10:¥4.5313 100:¥3.4917 500:¥2.5877	参考库存:55286
MBR2X120A045	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 45V 240A Fwd Schottky	60:¥296.9075 100:¥281.8446 200:¥263.0979	参考库存:55291
TSA874CW RP	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor	5,000:¥1.4238 10,000:¥1.2543 25,000:¥1.1865 50,000:¥1.1526	参考库存:55296
PTFC262157FH-V1-R250	Wolfspeed / Cree	分立半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥945.6744	参考库存:55301
S70JR	GeneSiC Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 600V 70A REV Leads Std. Recovery	200:¥79.2243 250:¥72.2296 500:¥67.5401 1,000:¥62.0144	参考库存:55306