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TSM3N80CI C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 800V 3A N Channel Power Mosfet
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数量单价合计
4,000
¥5.1867
20746.8
5,000
¥4.9268
24634
10,000
¥4.8138
48138
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
94 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3.7 S
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106 ns
典型接通延迟时间
48 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TSM3N80CI C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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