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分立半导体

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TSM80N1R2CL C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 800V N channel Power Mosfet 5.5A, 1,2ohm
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数量单价合计
4,000
¥7.91
31640
5,000
¥7.6049
38024.5
10,000
¥7.4467
74467
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格，TSM80N1R2CL C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N4099-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥95.9709
10:¥87.2925
25:¥80.7611
50:¥76.3767
参考库存:38581
RSQ025P03TR
ROHM Semiconductor
分立半导体
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6
1:¥4.5313
10:¥3.7403
100:¥2.4182
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6272
参考库存:38586
JAN2N1893S
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥294.6023
5:¥279.8558
10:¥272.556
25:¥250.4193
参考库存:38591
801-1
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 Single Phase Bridge
1:¥2,748.1826
5:¥2,582.5924
参考库存:38596
TFZTR7.5B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER TUMD2 1913 SIZE 7.5V
1:¥3.2318
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:38601
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