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分立半导体
PXAC243502FV-V1-R250参考图片

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PXAC243502FV-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,207.4615
301865.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
88 mOhms
增益
15 dB
输出功率
350 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-4
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PXAC243502FV-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84B33-HE3-08
Vishay Semiconductors
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1:¥2.0792
10:¥1.356
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500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
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5,000:查看
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NSB8DTHE3_A/P
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BZX84W-B2V4F
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10,000:¥0.20792
30,000:¥0.1921
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:48595
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