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APTGT100H120G

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT100H120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZX84C2V7 RFG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener diode 2,7v, 350mW
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:51381
BZX55C20 R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 20v
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.78422
1,000:¥0.26103
10,000:¥0.1695
20,000:查看
参考库存:51386
BZX55C4V7 R0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 4v7
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.78422
1,000:¥0.26103
10,000:¥0.1695
20,000:查看
参考库存:51391
BC857C RF
Taiwan Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:51396
BZS55C3V6 RXG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 5% 3v6
1:¥1.7628
10:¥1.6159
100:¥0.90626
1,000:¥0.32996
5,000:¥0.29154
参考库存:51401
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