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分立半导体
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PTFB210801FA-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥383.6576
19182.88
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
18.5 dB
输出功率
80 W
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265-2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB210801FA-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4C760NT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.95MO
1,500:¥1.8984
3,000:¥1.8984
9,000:¥1.8306
24,000:¥1.7628
49,500:¥1.7289
参考库存:27564
BZG05C82-HM3-18
Vishay
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
6,000:¥0.85315
12,000:查看
参考库存:27569
NGD15N41ACLT4G
Littelfuse
分立半导体
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 15 A, 410 V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:27574
DMT2004UFG-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.3844
10:¥3.6951
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
3,000:¥1.9097
参考库存:27579
NTMFS4852NT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥7.8422
500:¥6.9382
5,000:¥4.859
10,000:查看
参考库存:27584
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