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分立半导体
IHW40N135R3参考图片

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IHW40N135R3

  • Infineon Technologies
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数量单价合计
240
¥32.657
7837.68
480
¥30.962
14861.76
720
¥27.8206
20030.832
1,200
¥23.4362
28123.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1350 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
429 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW40N135R3FKSA1 IHW4N135R3XK SP000989498
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IHW40N135R3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL5938D/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥85.3715
200:¥77.8344
500:¥72.772
1,000:¥66.7717
参考库存:37236
JAN1N4615DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥141.6116
200:¥129.9387
500:¥123.7124
参考库存:37241
JAN1N5544C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥103.1916
200:¥94.129
500:¥88.0609
1,000:¥80.7611
参考库存:37246
JANTX1N3824AUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥137.4645
200:¥126.1758
500:¥120.0964
参考库存:37251
CDLL6486/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥97.3608
200:¥88.7502
500:¥83.0663
1,000:¥76.1507
参考库存:37256
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