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分立半导体
PGA26E19BA参考图片

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PGA26E19BA

  • Panasonic
  • 最新
  • MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
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数量单价合计
1
¥140.5381
140.5381
10
¥131.1704
1311.704
25
¥124.5599
3113.9975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
GaN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
X-GaN
系列
PGA26E19BA
商标
Panasonic
下降时间
2.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
200
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3.4 ns
典型接通延迟时间
3.4 ns
商品其它信息
优势价格，PGA26E19BA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CBR1-D010
Central Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 . .
1:¥6.6105
10:¥5.4579
100:¥4.5539
500:¥3.5143
1,000:¥3.1753
参考库存:12098
IRF9383MTRPBF
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
4,800:¥7.684
9,600:查看
参考库存:27410
150KR20A
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 SI STND RECOV DO-8 200-1000V 150A 200PV
1:¥296.06
5:¥287.8449
10:¥275.9347
20:¥256.0354
参考库存:3507
NTHL040N65S3F
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
1:¥71.077
10:¥64.2405
25:¥61.246
100:¥53.1778
参考库存:7889
S300D
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 200V 300A Std. Recovery
1:¥433.6827
5:¥421.0041
10:¥408.1786
20:¥382.505
参考库存:3526
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