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分立半导体
DMT10H015LSS-13参考图片

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DMT10H015LSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
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66.331
100
¥5.0963
509.63
500
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1,000
¥3.5482
3548.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
8.3 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
4.95 mm
系列
DMT10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.95 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.7 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BCX71HE6327HTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.6159
10:¥1.13
100:¥0.47686
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.25312
参考库存:221261
BAW156E6327HTSA1
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Silicon Low Leakage Diode
1:¥2.0001
10:¥1.3673
100:¥0.56839
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.30736
参考库存:34105
1N5314UR-1
Microsemi
分立半导体
稳流二极管 Current Regulator
1:¥177.5795
5:¥169.5904
10:¥164.2794
25:¥150.9906
参考库存:34110
VS-45L10
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 100 Volt 150 Amp
1:¥295.5289
5:¥282.161
10:¥273.3922
25:¥251.1877
参考库存:34115
JANTXV1N4573A-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Temperature Compensated
1:¥174.2686
10:¥158.4486
25:¥146.5384
50:¥138.6171
参考库存:34120
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