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分立半导体
STF18N60DM2参考图片

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STF18N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 13 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥18.6676
18.6676
10
¥15.8313
158.313
100
¥12.6786
1267.86
500
¥11.1418
5570.9
1,000
¥9.2208
9220.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
STF18N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFB8407
Infineon / IR
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MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.289
250:¥16.4415
参考库存:7356
AUIRFS8403
Infineon / IR
分立半导体
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 2.6mOhm 123A
1:¥15.4471
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
1,000:¥7.571
参考库存:12818
PDS360-13
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1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
5,000:¥4.1471
参考库存:166230
2SAR293P5T100
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1:¥3.5369
10:¥2.4747
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
2,000:¥0.7458
参考库存:15812
V15PL50-M3/86A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,50V,TRENCH SKY RECT.
1:¥8.5315
10:¥7.0173
100:¥5.3788
500:¥4.6217
1,000:¥3.6612
1,500:¥3.6612
参考库存:33179
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