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分立半导体
SSM6J511NU,LF参考图片

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SSM6J511NU,LF

  • Toshiba
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  • MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥2.8024
28.024
100
¥1.5594
155.94
1,000
¥1.1413
1141.3
3,000
¥0.9831
2949.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN6B-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
14 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
47 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
SSM6J511
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
27 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
8.500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
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100:¥16.5997
250:¥15.7522
参考库存:7781
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