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分立半导体
SIHP14N60E-GE3参考图片

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SIHP14N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥18.2156
18.2156
10
¥15.142
151.42
100
¥11.752
1175.2
500
¥10.2943
5147.15
1,000
¥8.5315
8531.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
269 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥142.6964
500:¥135.7808
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Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥183.6476
250:¥168.5847
500:¥160.4374
参考库存:41522
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