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分立半导体
CSD22204WT参考图片

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CSD22204WT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥5.2206
5.2206
10
¥4.3053
43.053
100
¥2.7798
277.98
250
¥2.7798
694.95
1,000
¥2.2261
2226.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-9
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
18.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1.5 mm
系列
CSD22204W
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
2.29 us
产品类型
MOSFET
上升时间
600 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3.45 us
典型接通延迟时间
58 ns
单位重量
2.500 mg
商品其它信息
优势价格，CSD22204WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPAR3G S1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 95ns, 3A, 400V, Fast Recovery Rectifier
1:¥5.6048
10:¥4.7686
100:¥3.5482
500:¥2.6103
1,500:¥1.7854
9,000:查看
参考库存:57623
SS13 R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,30V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
3,600:¥0.50737
9,000:¥0.4068
23,400:¥0.3842
48,600:¥0.37629
参考库存:57628
DBLS151G RDG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 1.5A,50V,SMD GLASS PASSIVATED,DIP,SMD,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
3,000:¥1.6272
参考库存:57633
TSZL52C20 RW
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 200mW 5%
20,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
48,000:¥0.30736
100,000:¥0.26894
参考库存:57638
1N4730G R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W,3V9,5%,ZENER
20,000:¥0.31527
45,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:57643
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