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NAND闪存
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TC58NVG0S3ETA00

  • Toshiba Memory
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  • NAND闪存 3.3V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
组织
128 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
96
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F
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NAND闪存
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1:¥50.2511
10:¥45.9458
25:¥45.0305
100:¥44.7254
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S34ML04G200TFA000
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1:¥104.5024
10:¥94.9765
25:¥87.8236
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MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
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NAND闪存 Nand
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