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NAND闪存
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TH58BVG2S3HBAI4

  • Toshiba Memory
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  • NAND闪存 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥41.0303
41.0303
10
¥37.4256
374.256
25
¥36.725
918.125
50
¥36.499
1824.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58BVG2S3HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S34MS04G200TFI000
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1:¥61.246
10:¥56.0932
25:¥51.0195
50:¥48.6352
参考库存:2363
S34ML02G104TFI010
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 2G 3V 25ns NAND闪存
1:¥52.7936
10:¥48.5674
25:¥47.9459
50:¥47.4148
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MT29F4G08ABAFAWP-AIT:F
Micron
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960:¥31.6626
1,920:¥30.3518
2,880:¥29.3574
参考库存:39109
MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR
Micron
NAND闪存
NAND闪存 SLC 8G 512MX16 TSOP
1:¥53.2456
10:¥48.5674
25:¥47.6408
50:¥47.2566
1,000:¥38.646
参考库存:10782
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Micron
NAND闪存
NAND闪存 TLC 1T 128GX8 VBGA QDP
1,120:¥351.543
参考库存:39116
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