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射频晶体管
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CGHV1F025S

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
2 A
输出功率
25 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-12
封装
Cut Tape
封装
Reel
应用
-
配置
Single
高度
0.9 mm
长度
4 mm
工作频率
15 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
类型
GaN SiC HEMT
宽度
3 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
CGHV1F025S-TB
下降时间
-
湿度敏感性
Yes
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV1F025S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU520AR
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:5381
BFR193E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:97528
VRF157FL
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,207.229
2:¥2,154.1303
5:¥2,122.6259
10:¥2,092.5792
参考库存:4610
SD1013-03
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:37972
PTVA120501EA-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1:¥640.4614
50:¥640.4614
参考库存:37977
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