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射频晶体管

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MAPRST0912-350

  • MACOM
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  • 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
32.5 A
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
封装 / 箱体
Ceramic
封装
Tray
工作频率
1.215 GHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
Pd-功率耗散
1.34 kW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，MAPRST0912-350的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ARF465AG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:5940
AFT20S015NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2
500:¥156.0643
参考库存:39182
MMRF5300NR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
1:¥1,807.8192
5:¥1,767.4782
10:¥1,731.3634
25:¥1,705.7689
50:¥1,643.8336
参考库存:39187
BFR31,235
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 5mA
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
10,000:¥1.2543
参考库存:49392
BFR 35AP E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:31729
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