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晶体管
NGB8207ABNT4G参考图片

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NGB8207ABNT4G

  • Littelfuse
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  • IGBT 晶体管 365V 20A IGBT IGNITION
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
800
¥6.0003
4800.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
365 V
栅极/发射极最大电压
15 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
165 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGB8207AB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Littelfuse
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NGB8207ABNT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥7.2998
10:¥5.8873
100:¥4.4635
500:¥3.6838
3,000:¥3.6838
参考库存:19621
晶体管
MOSFET N-CH 60 V 360 mA
1:¥1.3108
10:¥1.1413
100:¥0.4068
1,000:¥0.26894
10,000:¥0.17628
20,000:查看
参考库存:186783
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
1,000:¥11.30
2,000:查看
参考库存:5495
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
5,000:¥5.8195
10,000:查看
参考库存:24082
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥28.815
10:¥24.5097
100:¥21.2892
250:¥20.1366
参考库存:9529
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