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晶体管
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STGF19NC60HD

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数量单价合计
1
¥16.4415
16.4415
10
¥13.9894
139.894
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.7632
4881.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V/1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
35 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
9 A/16 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STGF19NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IKW30N65ES5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 TRENCHSTOP 5 S5 is the new IGBT family addressing applications switching between 10kHz and 40kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.
1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
500:¥17.7523
参考库存:4513
MG12600WB-BR2MM
Littelfuse
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IGBT 模块 1200 V 600 A IGBT
1:¥1,526.3475
参考库存:2620
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1:¥3.1527
10:¥2.2261
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.66896
参考库存:30482
DMP2123LQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
参考库存:16349
MG06600WB-BN4MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 600V 600A Dual
1:¥1,157.8206
参考库存:2781
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