MUN5111DW1T1G详细参数_参考价格_MUN5111DW1T1G PDF资料_ON Semiconductor

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

公司名：微信：

库存：204,701(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-88-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	35
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	250 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	MUN5111DW1
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	35 at 5 mA at 10 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

优势价格，MUN5111DW1T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STI13NM60N	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK	1:¥13.6052 10:¥11.6051 100:¥9.2208 500:¥8.0682	参考库存:11224
TSM60N750CH	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm	5,625:¥4.8138 11,250:¥4.7121	参考库存:51177
2N6547	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥336.0959 250:¥307.134	参考库存:51182
STB5NK50Z-1	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A	1:¥10.3734 10:¥8.8366 100:¥6.78 500:¥5.989	参考库存:51187
2N3584	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥243.8088 250:¥227.5255	参考库存:51192