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2SD1816S-E

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 100V
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数量单价合计
1
¥6.7574
6.7574
10
¥5.5935
55.935
100
¥3.616
361.6
1,000
¥2.8928
2892.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD1816
高度
2.3 mm
封装
Bulk
宽度
6.5 mm
商标
ON Semiconductor
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，2SD1816S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFR540ZTRL
Infineon / IR
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 1 100V, 26 mOhm, DPAK
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
3,000:¥5.989
6,000:查看
参考库存:15487
IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:18184
BUK7609-75A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
800:¥7.5484
参考库存:15186
FF1000R17IE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.39KA
1:¥5,143.1272
参考库存:3208
STB150NF55T4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,000:¥14.6787
2,000:查看
参考库存:6845
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