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晶体管
NTR4171PT1G参考图片

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NTR4171PT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET PFET SOT23 30V TR 0.075R
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0566
20.566
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.72207
2166.21
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
75 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTR4171P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,NTR4171PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
1:¥13.9103
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
2,000:¥6.0681
4,000:查看
参考库存:14191
晶体管
MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥2.0566
参考库存:4283
晶体管
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
1:¥3.0736
10:¥2.3165
100:¥1.2543
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
9,000:¥0.76049
参考库存:42880
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3
1:¥3.3787
10:¥2.5312
100:¥1.3786
1,000:¥1.02943
2,000:¥0.89157
参考库存:27747
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥745.8904
2:¥722.7593
5:¥722.522
10:¥699.244
参考库存:1179
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