DTC114EU3T106详细参数_参考价格_DTC114EU3T106 PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SIS488DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIS434DN-GE3	1:¥7.5258 10:¥6.2037 100:¥4.7573 500:¥4.0906 1,000:¥3.2318 3,000:¥3.2318	参考库存:32147
DTA015TMT2L	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors	1:¥1.5368 10:¥1.03734 100:¥0.43844 1,000:¥0.29945 8,000:¥0.20001 24,000:查看	参考库存:44209
BC850BW,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE	1:¥1.3786 10:¥1.2995 100:¥0.46104 1,000:¥0.30736 10,000:¥0.20792 20,000:查看	参考库存:54081
IRFR4105TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC	1:¥6.9156 10:¥5.9212 100:¥4.5539 500:¥4.0228 1,000:¥3.1753 2,000:¥3.1753	参考库存:4828
2SD2142KT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 DARL NPN 30V .3A	1:¥3.5369 10:¥2.6781 100:¥1.4577 1,000:¥1.09158 3,000:¥0.9379	参考库存:29500