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晶体管
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2N5884G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 80V 200W PNP
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49.72
10
¥44.9514
449.514
50
¥42.8722
2143.61
100
¥37.1883
3718.83
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
25 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5884
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
25 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.021 g
商品其它信息
优势价格，2N5884G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SA2121-R(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor PNP 200V 15A
暂无价格
参考库存:43348
2N2218AL/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.6194
200:¥65.314
500:¥61.0878
1,000:¥56.0141
参考库存:43353
2N2369AU
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥358.5377
250:¥328.4119
参考库存:43358
2N3439U4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,421.8451
参考库存:43363
2N4261/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥137.2385
200:¥125.9385
500:¥119.8704
参考库存:43368
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