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晶体管
APT13005SU-G1参考图片

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APT13005SU-G1

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7459
27.459
100
¥1.6724
167.24
1,000
¥1.2995
1299.5
4,000
¥1.10627
4425.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
6.4 A
增益带宽产品fT
4 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
APT1300
直流电流增益 hFE 最大值
35
封装
Bulk
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,APT13005SU-G1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
1:¥13.6052
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.6727
2,000:¥5.9212
4,000:查看
参考库存:30966
晶体管
MOSFET -30V -25A P-Channel
1:¥7.0738
10:¥6.0116
100:¥4.6217
500:¥4.0906
2,500:¥2.8589
10,000:查看
参考库存:98703
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:123935
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.859
1,000:¥3.8307
2,500:¥3.8307
参考库存:60967
晶体管
MOSFET TAPE7 PWR-MO
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:93054
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