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晶体管
STU7NM60N参考图片

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STU7NM60N

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh
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数量单价合计
1
¥14.7578
14.7578
10
¥12.5204
125.204
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU7NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU7NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:34418
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.3165
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:13320
晶体管
达林顿晶体管 4A 45V 40W NPN
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:15059
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PQMD13/DFN1010B-6/REEL 7" Q2/T
1:¥2.8476
10:¥1.9097
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
5,000:¥0.42262
参考库存:21376
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 13 mo FET
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3732
500:¥5.6274
1,000:¥4.4522
1,500:¥4.4522
参考库存:26928
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