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晶体管
CSD18533KCS参考图片

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CSD18533KCS

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 60V N-Chnl NxFT Pwr MSFT ..
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库存：4,365(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18533KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，CSD18533KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.1019
参考库存:25454
IRFI9634GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:8016
FQA70N10
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.6787
500:¥13.221
参考库存:7103
BCM847BV,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:43730
TP0606N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 3.5Ohm
1:¥6.3732
10:¥6.3167
25:¥5.2997
100:¥4.8251
参考库存:22152
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