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晶体管
SPP08N80C3XKSA1参考图片

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SPP08N80C3XKSA1

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数量单价合计
1
¥16.3624
16.3624
10
¥13.9103
139.103
100
¥11.0627
1106.27
500
¥9.6841
4842.05
1,000
¥8.0682
8068.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
560 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000683156 SPP08N80C3 SPP8N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP08N80C3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA102001EA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,046.8659
参考库存:53707
SI3434-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
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1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
45,000:查看
参考库存:53712
HGTG5N120BND
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450:¥14.4414
900:¥12.9837
参考库存:53717
2SK3482-AZ
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晶体管
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1:¥13.0628
10:¥11.752
25:¥10.5316
100:¥9.4468
参考库存:53722
SI6413DQ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
3,000:¥7.1642
6,000:¥6.9043
9,000:¥6.6331
参考库存:53727
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