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晶体管
FGB3245G2-F085参考图片

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FGB3245G2-F085

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800
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
450 V
集电极—射极饱和电压
1.64 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
23 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB3245G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
23 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
零件号别名
FGB3245G2_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FGB3245G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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