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晶体管
BCW60C,215参考图片

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BCW60C,215

  • Nexperia
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
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数量单价合计
1
¥1.921
1.921
10
¥1.2769
12.769
100
¥0.52997
52.997
1,000
¥0.3616
361.6
3,000
¥0.28476
854.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
32 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 uA, 5 V
高度
1 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Nexperia
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BCW60C T/R
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BCW60C,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB65R310CFDAATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:8049
VRF141G
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥901.6383
2:¥873.6708
5:¥873.4448
10:¥845.24
参考库存:3101
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.0681
10:¥5.0511
100:¥3.2544
1,000:¥2.6103
参考库存:10553
IPAN65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥8.0682
10:¥6.9382
100:¥5.3336
500:¥4.7121
1,000:¥3.7177
参考库存:8055
BC847BPN,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-11
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
2,500:¥0.3616
10,000:¥0.30736
参考库存:90057
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