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晶体管
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FDI9406-F085

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数量单价合计
1
¥24.4306
24.4306
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.83 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC, 107 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FDI9406_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
28 ns
零件号别名
FDI9406_F085
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格，FDI9406-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
F3L25R12W1T4B27BOMA1
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100:¥7.91
500:¥6.9495
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参考库存:27746
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