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晶体管
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FS75R12KT3G

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数量单价合计
1
¥935.0637
935.0637
5
¥916.6221
4583.1105
10
¥873.8968
8738.968
25
¥855.5343
21388.3575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
455 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KT3GBOSA1 SP000100438
单位重量
304.400 g
商品其它信息
优势价格,FS75R12KT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
1:¥87.5976
10:¥83.4505
25:¥77.2242
50:¥73.0771
参考库存:5225
晶体管
MOSFET BUK9M6R6-30E/MLFPAK/REEL 7" Q1
1:¥5.0737
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
1,500:¥1.8419
参考库存:6737
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,000:¥1.6724
参考库存:18214
晶体管
MOSFET 20V P channel MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.1527
100:¥2.147
500:¥1.4803
3,000:¥0.9831
9,000:查看
参考库存:64216
晶体管
MOSFET Wide Pad Dual Nchannel MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.119
1,000:¥5.8986
参考库存:26746
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