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晶体管
FGA50S110P参考图片

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FGA50S110P

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库存:3,890(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA50S110P
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50S110P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 Power BJT
1:¥490.1601
5:¥469.5715
10:¥461.3451
25:¥432.5301
参考库存:5705
晶体管
MOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.3679
3,000:¥10.2943
6,000:查看
参考库存:18872
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 50mA 8.5GHZ
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:35929
晶体管
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2885
500:¥6.441
参考库存:15001
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
参考库存:10088
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