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产品分类

晶体管
APT45GP120B2DQ2G参考图片

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APT45GP120B2DQ2G

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
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数量单价合计
1
¥158.5164
158.5164
5
¥151.4539
757.2695
10
¥146.6853
1466.853
25
¥134.7751
3369.3775
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
113 A
Pd-功率耗散
625 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
113 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
113 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
优势价格,APT45GP120B2DQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:33812
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:10249
晶体管
MOSFET 250V P-Channel QFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9947
1,000:¥5.5144
参考库存:8786
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
4,000:¥0.46104
参考库存:21818
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥6.3054
10:¥5.4918
100:¥4.2262
500:¥3.1301
3,000:¥2.2035
6,000:查看
参考库存:23795
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