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晶体管
DMG4712SSS-13参考图片

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DMG4712SSS-13

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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
2,500
¥2.9493
7373.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11.2 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
45.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.55 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMG4712
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.1 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMG4712SSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥4.2375
参考库存:42012
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥1,019.9719
参考库存:42017
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,400.5607
参考库存:42022
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥6.8478
9,600:¥6.5879
参考库存:42027
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
10:¥1,535.4892
25:¥1,514.4373
50:¥1,410.6242
参考库存:42032
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