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晶体管
MMBT6521LT1G参考图片

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MMBT6521LT1G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 40V NPN
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库存:47,282(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.82264
82.264
1,000
¥0.63054
630.54
3,000
¥0.47686
1430.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT6521L
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
0.1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
150
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT6521LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥27.12
10:¥21.8203
100:¥19.8993
250:¥17.9783
参考库存:1543
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET Power MGMT switch
1:¥4.2262
10:¥2.8024
100:¥1.5594
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:472240
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
1:¥211.1518
200:¥211.1518
参考库存:3482
晶体管
MOSFET 20v P-Channel FemtoFet
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:9539
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
1:¥3.2996
10:¥2.6894
100:¥1.6385
1,000:¥1.2656
2,000:¥1.08367
参考库存:7691
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