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晶体管
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MAT01AHZ

  • Analog Devices
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED MONO DUAL NPN
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数量单价合计
1
¥183.0374
183.0374
5
¥176.8111
884.0555
10
¥170.5057
1705.057
25
¥162.3584
4058.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-78-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
45 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.12 V
最大直流电集电极电流
25 mA
增益带宽产品fT
450 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
MAT01
直流电流增益 hFE 最大值
840
高度
4.7 mm (Max)
长度
9.4 mm (Max)
封装
Bulk
宽度
9.4 mm (Max)
商标
Analog Devices
集电极连续电流
25 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
500
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5255PAPS/HUSON6/REEL 7" Q1
1:¥4.068
10:¥3.3561
100:¥2.0453
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:16519
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 6A NPN high power bipolar
1:¥4.7686
10:¥3.8985
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
1,500:¥1.5707
参考库存:19721
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥27.8206
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.436
参考库存:28163
晶体管
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
1:¥4.4522
10:¥3.6951
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
2,500:¥1.4803
参考库存:16225
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
1:¥34.1938
10:¥29.041
100:¥25.199
250:¥23.8995
参考库存:30642
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