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晶体管
APT150GN120J参考图片

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APT150GN120J

  • Microsemi
  • 最新
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:4,275(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥303.744
303.744
2
¥295.5289
591.0578
5
¥287.3025
1436.5125
10
¥279.1552
2791.552
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
215 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT150GN120J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥3.9211
3,000:¥3.9211
参考库存:34647
晶体管
MOSFET N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO
1:¥42.6462
10:¥36.273
100:¥31.4253
250:¥29.8094
参考库存:9334
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.2149
100:¥3.1979
500:¥2.6329
1,000:¥2.1131
3,000:¥1.9097
参考库存:63811
晶体管
MOSFET Synch Buck NexFET Power Block
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.379
2,500:¥7.232
5,000:查看
参考库存:19543
晶体管
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 29nC
1:¥8.4524
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
1,000:¥3.8985
2,000:¥3.8985
参考库存:19475
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