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晶体管
NST3906DP6T5G参考图片

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NST3906DP6T5G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP GP TRANS SOT-963
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.8645
18.645
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.52997
529.97
8,000
¥0.35369
2829.52
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NST3906DP6
直流电流增益 hFE 最大值
60 at 100 uA, 1 V
高度
0.37 mm
长度
1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
280 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,NST3906DP6T5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Amplification Trans
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:17044
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN W/RES 50V
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:22454
晶体管
MOSFET PFET 3X3 20V 2.7A 140MOHM
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
3,000:¥3.0623
参考库存:22459
晶体管
MOSFET MOSFET, 600V
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:22464
晶体管
MOSFET 40V AUTOGRADE 1 N-CH HEXFET 1mOhm
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.5044
4,000:¥21.7412
参考库存:22469
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