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晶体管
MCCD2007-TP参考图片

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MCCD2007-TP

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库存:9,724(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.7064
37.064
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.1639
3491.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Micro Commercial Components (MCC)
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN2030-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms, 35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
TrenchFET
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Micro Commercial Components (MCC)
正向跨导 - 最小值
9 S, 9 S
下降时间
13 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns, 16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns, 52 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
商品其它信息
优势价格,MCCD2007-TP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N ch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7176
250:¥1.7176
1,000:¥1.3221
参考库存:5885
晶体管
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp
1:¥7.5258
10:¥6.6331
100:¥5.1528
500:¥3.8533
1,000:¥3.1188
2,500:¥3.1188
参考库存:253242
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,342.553
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
150:¥1,220.9085
参考库存:5344
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥13.7521
10:¥11.6842
100:¥9.379
500:¥8.1473
参考库存:7426
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.8368
10:¥10.9158
100:¥8.6784
500:¥7.6388
5,000:¥5.6839
10,000:查看
参考库存:18293
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