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晶体管
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IRL530PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥13.1419
13.1419
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.119
3559.5
1,000
¥5.6161
5616.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
88 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6.4 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
100 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
4.7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SCR514P5T100
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
2,000:¥0.86106
参考库存:12146
SST2222AHZGT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SOT-23 0.6A 40V VCEO
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:94793
RN1903,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:33560
FMMT413TD
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Avalanche
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
500:¥25.5154
参考库存:55752
CSD18541F5
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 60V N ch MOSFET
1:¥3.2318
10:¥2.6894
100:¥1.6498
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:53449
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