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晶体管

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IGP30N65F5XKSA1

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数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.4526
6226.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
Pd-功率耗散
188 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
35 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP30N65F5 SP001133080
单位重量
2.030 g
商品其它信息
优势价格，IGP30N65F5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CN86 FAST IGBT U
240:¥18.7467
250:¥17.8314
500:¥15.9782
1,000:¥13.447
参考库存:37336
DMN1019USN-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
10,000:¥0.82264
参考库存:44645
U233
InterFET
晶体管
JFET Dual JFET N-Ch -50V 50mA 300mW 10Vgs
1:¥127.6335
10:¥107.35
100:¥98.7394
250:¥90.061
参考库存:44650
MMRF1020-04NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:44655
IMX18T208
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL
10,000:¥0.9831
20,000:¥0.90626
50,000:¥0.86784
100,000:¥0.83733
参考库存:44660
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