您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
TPS1100D参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

TPS1100D

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:1,991(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
791 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1100
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,TPS1100D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:11224
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 600V, 6A, 750mOhm
5,625:¥4.8138
11,250:¥4.7121
参考库存:51177
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥336.0959
250:¥307.134
参考库存:51182
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 500 V 1.22 OHM - 4.4A
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.78
500:¥5.989
参考库存:51187
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥243.8088
250:¥227.5255
参考库存:51192
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号