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晶体管
NDP6020P参考图片

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NDP6020P

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数量单价合计
1
¥13.2888
13.2888
10
¥11.30
113
100
¥9.0626
906.26
500
¥7.91
3955
1,000
¥6.5314
6531.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
NDP6020P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
NDP6020P_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,NDP6020P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥2.9945
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
2,000:¥0.44522
参考库存:89290
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1:¥6.3732
10:¥5.4127
100:¥4.1584
500:¥3.6725
2,500:¥2.5764
10,000:查看
参考库存:20057
晶体管
MOSFET N-channel 80 V 9.9 mo FET
1:¥8.4524
10:¥7.2094
100:¥5.537
500:¥4.8929
1,000:¥3.8646
1,500:¥3.8646
参考库存:16749
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.73789
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:338086
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 100V NPN
1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:110813
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