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晶体管
BUJ105AB,118参考图片

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BUJ105AB,118

  • WeEn Semiconductors
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab)
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
800
¥3.2318
2585.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-404-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
8 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
36
高度
4.5 mm
长度
10.3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
9.4 mm
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
10
Pd-功率耗散
125 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
800
子类别
Transistors
零件号别名
934056850118
商品其它信息
优势价格,BUJ105AB,118的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥10,021.0886
参考库存:3304
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A IGBT
1:¥539.4168
5:¥528.8174
10:¥506.6807
25:¥490.3183
50:¥483.7869
参考库存:3561
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 10mA 300mW 2mW
1:¥154.7535
参考库存:4703
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 11A 11.9mOhm 6.2nC Qg
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
4,000:¥1.2656
参考库存:41310
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 2400A
1:¥8,996.9696
参考库存:24587
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