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晶体管
SPA08N80C3参考图片

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SPA08N80C3

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥18.2156
18.2156
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.3735
1237.35
500
¥10.8367
5418.35
1,000
¥8.9948
8994.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
560 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SP000216310 SPA08N80C3XKSA1 SPA8N8C3XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPA08N80C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ088N03LS G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥5.6048
10:¥4.7121
100:¥3.0397
1,000:¥2.4295
5,000:¥2.0566
参考库存:24830
DTC124EET1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.2317
10:¥1.06785
100:¥0.37629
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:60697
ZXMP7A17GQTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:17879
NGTB45N60SWG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 600V/45A IGBT FS1 TO-247
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:3381
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT COMPLEMENTARY
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:58713
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